IR推出专攻高频开关电源应用的经济型大功率150kHz IGBT

IR推出专攻高频开关电源应用的经济型大功率150kHz IGBT

全新WARP2非穿透IGBT能以高于功率MOSFET的性能价格比，提供理想的性能和效率。这些IGBT与 HEXFRED二极管组合封装，性能高于功率MOSFET中的集成体二极管。新器件采用TO-247及TO-220封装。

严国富先生称，IGBT的电流密度优于功率MOSFET，可减低器件数目，有助节省成本和改善功率密度。

WARP2 IGBT凭着更完善的开关性能，配合正温度系数特性和更低栅开通电荷，有效提高电流密度。若以并联模式操作，它们可以像功率MOSFET一样发挥极佳的电流均分性能。与功率MOSFET不同，它们的通态损耗能保持固定不变。

在TO-247封装内，全新IGBT能处理高达50A电流，电容量比采用相同封装的IR 600V MOSFET高出85%；若采用TO-220封装，则可处理高达20A电流，电容量比采用相同封装的IR 600V MOSFET高出18%。

新器件现已投入供应。数据表详载于IR网站irf.com

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